وذكر موقع ITPNA نقلاً عن Interesting Engineering أن باحثين صينيين طوروا عملية أولية لبناء ترانزستورات الجيل الجديد على مقاسات أقل من ٣ نانومتر باستخدام الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية العميقة.
وتم تنفيذ هذا العمل، بحسب تصريحات يي تيانتشون، الباحث المخضرم في مجال أشباه الموصلات في الصين، في ظل قيود التصدير الأمريكية والهولندية التي لا تزال تقيد وصول الصين إلى أنظمة الطباعة الحجرية الأكثر تقدمًا التابعة لشركة ASML.
وذكرت أكاديمية العلوم في الصين أن باحثيها أكملوا التكامل الأولي لترانزستورات GAA ذات القناة المكدسة من الصفائح النانوية باستخدام أدوات الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية العميقة، لكن هذه التكنولوجيا لا تزال في مرحلة تطوير مبكرة ولم تُظهر بعد أنها قادرة على دعم الإنتاج على نطاق تجاري.
وتركز هذه الدراسة على ترانزستورات GAA؛ وهو تصميم يتجه ليحل محل بنية FinFET مع انتقال مصنعي أشباه الموصلات إلى عقد تصنيع أصغر.
قام فريق البحث في أكاديمية العلوم في الصين بتكامل ترانزستورات GAA ذات القناة المكدسة من الصفائح النانوية باستخدام الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية العميقة.
ووصف يي تيانتشون، الباحث المخضرم في معهد الميكروإلكترونيات بأكاديمية العلوم في الصين، هذا العمل بأنه مسار عملية أولي لتطوير أجهزة تقل عن ٣ نانومتر. لكنه أشار إلى أن ذلك لا يعني أن الصين عرضت شريحة أقل من ٣ نانومتر جاهزة للإنتاج.
وبحسب خبراء، أُجريت هذه الأبحاث في ظل وصول محدود للصين إلى الطباعة الحجرية بالأشعة فوق البنفسجية الشديدة.
تستخدم آلات الأشعة فوق البنفسجية الشديدة التابعة لشركة ASML ضوءًا بطول موجي ١٣٫٥ نانومتر لرسم أنماط صغيرة جدًا على رقاقة السيليكون، وتُعد من أعقد الآلات الصناعية المصنّعة.